如来与玉皇大帝:Vishay T55系列聚合物鉭片式電容器新增D外形,只有一位數ESR降至7 mΩ

發布時間:2019年06月05日 15:06    發布者:eechina
關鍵詞: 鉭片式 , 電容器 , vPolyTan
器件降低壓降,提高頻率響應,具有高達5.67 A IRMS的優異紋波電流等級

Vishay擴充其T55系列vPolyTan表面貼裝聚合物鉭模塑片式電容器,新增D外形(EIA 7343-31)尺寸器件,一位數ESR值由9 mΩ降至7 mΩ,6 mΩ的ESR值器件正在開發中。
20190605_T55(lowESR).jpg

今天發布的電容器保留以前較大外型尺寸,一位數ESR值比D外型尺寸典型值低3 mΩ至5 mΩ。從而有助于降低壓降、提高頻率響應,并具有高達5.67 A IRMS的優異紋波電流等級,減少PCB基板所需電容器數量。除節省基板空間外,D外形尺寸3.1 mm超薄便于設計更薄的成品。

T55系列外形尺寸為緊湊型J、P、A、B、T(薄型B —最高1.2 mm)、D、V和Z,電容量3.3 μF至1000 μF,額定電壓2.5 V至63 V,電容公差為± 20 %。器件適用于計算機、服務器、網絡設備、固態硬盤和無線收發器電源管理、電池解耦和儲能。

電容器工作溫度-55 °C至 + 105 °C,具有較低內阻,可提高充放電特性。T55系列電容器采用無鉛(Pb)終端,符合RoHS和Vishay綠色標準,無鹵素。器件可使用高速自動拾放設備進行貼裝,潮濕度敏感度等級(MSL)為3級。

新型一位數ESR值電容器現可提供樣品并已實現量產,訂貨周期為14至16周。

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