天仙配玉皇大帝升天视频:Vishay T55系列聚合物钽片式电容器新增D外形,只有一位数ESR降至7 mΩ

发布时间:2019-6-5 15:29    发布者:eechina
关键词: 钽片式 , 电容器 , vPolyTan
器件降低压降,提高频率响应,具有高达5.67 A IRMS的优异纹波电流等级

Vishay扩充其T55系列vPolyTan表面贴装聚合物钽模塑片式电容器,新增D外形(EIA 7343-31)尺寸器件,一位数ESR值由9 mΩ降至7 mΩ,6 mΩ的ESR值器件正在开发中。


今天发布的电容器保留以前较大外型尺寸,一位数ESR值比D外型尺寸典型值低3 mΩ至5 mΩ。从而有助于降低压降、提高频率响应,并具有高达5.67 A IRMS的优异纹波电流等级,减少PCB基板所需电容器数量。除节省基板空间外,D外形尺寸3.1 mm超薄便于设计更薄的成品。

T55系列外形尺寸为紧凑型J、P、A、B、T(薄型B —最高1.2 mm)、D、V和Z,电容量3.3 μF至1000 μF,额定电压2.5 V至63 V,电容公差为± 20 %。器件适用于计算机、服务器、网络设备、固态硬盘和无线收发器电源管理、电池解耦和储能。

电容器工作温度-55 °C至 + 105 °C,具有较低内阻,可提高充放电特性。T55系列电容器采用无铅(Pb)终端,符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素。器件可使用高速自动拾放设备进行贴装,潮湿度敏感度等级(MSL)为3级。

新型一位数ESR值电容器现可提供样品并已实现量产,订货周期为14至16周。

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