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传说中玉皇大帝姓什么: 為什么MOSFET會發生熱失控 [復制鏈接]

ningxueqin (離線)
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樓主
發表于 2019-6-9 10:44:03 |只看該作者 |倒序瀏覽
  對于導通時或導通后不久的VGS的任何給定值,在更高結溫下,漏電流會更大,因為閾值電壓會隨著結溫上升而下降。下面一起來看一下本文的介紹。
  一旦VGS超過閾值電壓,這個更大的電流反過來又提高了MOSFET的內部溫度,因此當工作在線性區中時,MOSFET內一部分會發生熱失控過程。
  然而,在飽和區中,該過程是相反的:導通電阻隨著結溫而增大,限制了電流,因此拖延了熱失控。為了獲得良好的SOA性能,一個理想的FET應該具有低ZTC點,以減少熱失控的可能性。
  使用SOA數據來管理線性區的操作,任何電子元件獲得過大功率都可能無法工作。導通時,MOSFET具有正溫度系數,對于任何指定的柵源電壓,它在更高的結溫下具有更大的灌電流。
  MOSFET特別容易受到過大功率的危害,因為所施加的功率會導致自加熱,從而導致線性區熱失控。
  這就是為什么MOSFET制造商會為每個器件給出安全操作曲線,用于表示在直流和脈沖模式中、線性區和飽和區內,MOSFET的什么操作是安全的。
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