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三圣母玉皇大帝: 为什么MOSFET会发生热失控

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发表于 2019-6-9 10:44:03 | 只看该作者
  对于导通时或导通后不久的VGS的任何给定值,在更高结温下,漏电流会更大,因为阈值电压会随着结温上升而下降。下面一起来看一下本文的介绍。
  一旦VGS超过阈值电压,这个更大的电流反过来又提高了MOSFET的内部温度,因此当工作在线性区中时,MOSFET内一部分会发生热失控过程。
  然而,在饱和区中,该过程是相反的:导通电阻随着结温而增大,限制了电流,因此拖延了热失控。为了获得良好的SOA性能,一个理想的FET应该具有低ZTC点,以减少热失控的可能性。
  使用SOA数据来管理线性区的操作,任何电子元件获得过大功率都可能无法工作。导通时,MOSFET具有正温度系数,对于任何指定的栅源电压,它在更高的结温下具有更大的灌电流。
  MOSFET特别容易受到过大功率的危害,因为所施加的功率会导致自加热,从而导致线性区热失控。
  这就是为什么MOSFET制造商会为每个器件给出安全操作曲线,用于表示在直流和脉冲模式中、线性区和饱和区内,MOSFET的什么操作是安全的。
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